晶圓級(jí)芯片可靠性測(cè)試后高電阻值異常如何詢失效點(diǎn)？
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網(wǎng)絡(luò)
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發(fā)布日期： 2020.07.08
所謂的WLCSP晶圓級(jí)芯片尺寸封裝，全名Wafer Level Chip Scale Packaging，是指，直接將整片晶圓級(jí)封裝制程完后，再進(jìn)行切割，切完后封裝體的尺寸等于原來(lái)晶粒的大小，后續(xù)利用重分布層（RDL），可直接將I/O拉出陣列錫球與PCB做連接。
也因隨著輕薄短小的需求，WLCSP成為封裝形式的主流，在WLCSP的封裝體概念下衍生出Fan-in，F(xiàn)an-out與Info等晶圓級(jí)封裝體。然而，此類封裝形式，在可靠度驗(yàn)證后，常見的失效模式，如錫球界面、吃錫不良，上板后應(yīng)力匹配問題。
所以，當(dāng)要確認(rèn)WLCSP形式的元件，在可靠度驗(yàn)證后的失效點(diǎn)時(shí)，就更需要留意分析工具的時(shí)機(jī)點(diǎn)是否會(huì)有應(yīng)力產(chǎn)生，免得反而破壞掉「命案現(xiàn)場(chǎng)」(原有的失效點(diǎn))，導(dǎo)致更難確認(rèn)失效真因。
以下這個(gè)案例，小編提出三步驟，告訴你失效分析工具該如何選擇？特別是什么時(shí)機(jī)點(diǎn)，命案現(xiàn)場(chǎng)才能夠清除，快速讓失效點(diǎn)(defect)無(wú)所遁形。輕易找到失效真因。
步驟 : 定位
針對(duì)可靠度實(shí)驗(yàn)后產(chǎn)生高阻的WLCSP元件，利用Thermal EMMI故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的相位差，定位到失效位置，是在Solder
Ball 地方。
第二步驟 : 顯像
接著，為了不破壞「命案現(xiàn)場(chǎng)」，因此使用3D X-ray進(jìn)行立體圖(左下圖)與斷面圖(右下圖)顯像，找到原來(lái)是錫球(Solder Ball)有損毀狀況。
第三步驟 : 切片
在已確認(rèn)Defect相對(duì)位置時(shí)，此時(shí)即可移除「命案現(xiàn)場(chǎng)」，使用低應(yīng)力Plasma FIB工具，將失效斷面切出并分析真因，找到原來(lái)是Solder Ball Crack狀況，導(dǎo)致元件高阻值異常而失效。
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