芯片高低溫測(cè)試流程
作者：
salmon范
編輯：
瑞凱儀器
來源：
www.upagv.cn
發(fā)布日期： 2020.10.14
芯片在出廠前需要進(jìn)行環(huán)境測(cè)試，模擬芯片在氣候環(huán)境下操作及儲(chǔ)存的適應(yīng)性，已確保其在低溫環(huán)境下也可正常工作。下面瑞凱儀器小編給大家講解一下芯片高低溫測(cè)試的流程吧！
1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50℃，保持4個(gè)小時(shí)；請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20℃以上溫度，所以在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。
2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。
3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。
4、升溫到+90℃，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。
5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。
如果測(cè)試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。
客服微信
